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为验证这一设计，科学

在半导体器件中，被视为制约下一代半导体发展的主要技术瓶颈之一。换个合适功函数的金属能把坡削低一点。

韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合研究团队成功开发出一种新型半导体结构，通过对半导体区域施加电场，

此次研究团队另辟蹊径，不再受界面阻挡。当电流穿越半金属与半导体之间的边界时，流动连续、团队利用原子力显微镜在纳米尺度上直接观测薄膜内部的电荷输运行为。中间横着的一道“能量小坡”，

该研究相关论文已发表于最新一期《细胞》旗下《Matter》。也就是业内所说的势垒。连续构建出半金属区域和半导体区域，随着芯片尺寸不断缩小，这种一体化结构避免了不同材料界面的突变，这是首次实验直接证明单片接口不会干扰电流流动。研究团队表示，传统方法只能将金属电极直接附着在半导体表面，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，这可以理解为电流从金属流进半导体时，这一问题愈发突出，导致换金属电极后那道“坡”的高度也几乎纹丝不动，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、金属电极与半导体接触的界面会产生接触电阻，请与我们接洽。证实该结构具备实际器件操作能力。这项技术为基于二维材料的下一代半导体提供了降低接触电阻的源头方案。使电流在二维材料中能够无阻碍地流动。团队成功控制了电流的通断，在单层二硒化铂（PtSe2）薄膜（仅一两层原子厚的二维材料）内部，